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本发明提供一种鳍式场效应晶体管的制造方法，在回刻蚀介质层以形成鳍部之间的浅沟槽隔离结构之前，先回刻蚀鳍部上表面预先形成的硬掩膜层使之部分去除，然后在整个器件表面形成盖层，所述盖层相当于增加浅沟槽填充物的宽度，并改善浅沟槽填充物的形貌，降低回...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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