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本发明公开了一种同时提高读噪声容限和写裕度的新型12管SRAM单元电路，该电路可以消除半选问题，同时解决读半选问题和写半选问题，不会带来稳定性问题，同时没有额外的功耗消耗，实验测得当列译码单元(CMUX)为4时，总数为128的阵列的读动态功...
该专利属于安徽大学所有，仅供学习研究参考，未经过安徽大学授权不得商用。

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