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本发明涉及浅沟槽隔离结构、包含其的晶体管及其制作方法。一种浅沟槽隔离（STI）结构的制作方法，其特征在于包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成多个第一沟槽，其中所述多个第一沟槽分别包括具有上窄下宽形状的上部分；在所述第一沟槽内填充...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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