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本发明公开了一种非易失性存储器结构，包括有一基底，其中有第一、第二以及第三有源区域沿着第一方向排成一列并通过绝缘区域互相隔开，所述绝缘区域包括第一中介绝缘区，其介于第一与第二有源区域间，第二中介绝缘区，其介于第二与第三有源区域间；第一选择晶...
该专利属于力旺电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力旺电子股份有限公司授权不得商用。

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