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本发明涉及半导体制备领域，具体涉及一种浅沟槽制备方法，通过沉积多层不同材质的硬掩膜层或通过离子注入、高温退火，光照使得所掩膜层自上而下的刻蚀速率逐渐递减，通过控制硬掩膜层在湿法刻蚀中回拉速率的不同，形成有利于STI氧化硅填充的阶梯状结构，可...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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