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本发明提供了一种提高键合晶圆散热效果的方法,应用于半导体混合键合技术或集成电路的三维堆叠技术中,通过在键合晶圆的一面或者正反两面设置导热线,该导热线的一端连接键合晶圆的电路区或位于电路区附近,另一端延伸至所述键合晶圆的外部,在键合器件工作时...该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种提高键合晶圆散热效果的方法,应用于半导体混合键合技术或集成电路的三维堆叠技术中,通过在键合晶圆的一面或者正反两面设置导热线,该导热线的一端连接键合晶圆的电路区或位于电路区附近,另一端延伸至所述键合晶圆的外部,在键合器件工作时...