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本发明公开一种超结沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法，一种具有短终端区长度的超结沟槽式金属氧化物半导体场效应管，其中，所述的终端区还包括一个沟道阻止区，其靠近外延层的上表面，有一个沟槽式终端接触区穿过该沟道组织区并延伸入所述的外延层。...
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