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一种超结半导体器件的终端结构，其包括：一种导电类型的半导体基板，在所述半导体基板之上的同种或另一种导电类型的外延半导体层，在所述外延半导体层的终端区具有的多条深度渐变的、与外延半导体层导电类型相异的连续柱状半导体掺杂区域，或多条深度渐变的由...
该专利属于佛山芯光半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山芯光半导体有限公司授权不得商用。

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