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三维存储器及其制造方法技术
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文档序号:10671027
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一种三维存储器制造方法,包括步骤:在衬底上形成第一材料层与第二材料层的堆叠结构;刻蚀堆叠结构露出衬底,形成垂直的多个第一开孔;在每个第一开孔中形成填充层;在每个第一开孔周围,刻蚀堆叠结构露出衬底,形成垂直的多个第二开孔;在每个第二开孔中形成...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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