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环绕式沟槽接触部结构和制作方法技术
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文档序号:10654327
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描述了一种环绕式源极/漏极沟槽接触部结构。多个半导体鳍状物从半导体衬底伸出。将沟道区设置到一对源极区/漏极区之间的每一鳍状物内。外延半导体层在所述源极区/漏极区之上覆盖每一鳍状物的顶表面和侧壁表面,从而在相邻鳍状物之间界定了高高宽比缝隙。将...
该专利属于英特尔公司所有,仅供学习研究参考,未经过英特尔公司授权不得商用。
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