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具有嵌入在封装中的硅通孔(TSV)管芯的多芯片集成制造技术
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下载具有嵌入在封装中的硅通孔(TSV)管芯的多芯片集成的技术资料
文档序号:10652325
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本公开的实施例涉及具有多个管芯的三维(3D)集成的集成电路(IC)封装组件,以及对应的制造方法和包含这种3D IC封装组件的系统。可在诸如微处理器管芯的第一管芯上形成无凸块建立层(BBUL)封装衬底。激光辐射可用于在管芯背面薄膜中形成开口以...
该专利属于英特尔公司所有,仅供学习研究参考,未经过英特尔公司授权不得商用。
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