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描述了单轴应变纳米线结构。例如，一种半导体器件包括设置在衬底之上的多个垂直堆叠的单轴应变纳米线。所述单轴应变纳米线中的每者包括设置在所述单轴应变纳米线内的分立沟道区。所述分立沟道区具有沿所述单轴应变的方向的电流流动方向。在所述分立沟道区的两...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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