温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种具有应变缓冲层的MOS器件及其形成方法，该期间包括：衬底；隔离区，延伸至衬底内；以及半导体鳍，高于隔离区的顶面。半导体鳍具有第一晶格常数。半导体区包括：侧壁部分，位于半导体鳍的相对两侧；以及顶部，位于半导体鳍的上方。半导体区...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。