下载半导体器件制造方法的技术资料

文档序号:10548964

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本发明公开了一种半导体器件制造方法,包括:在衬底上形成鳍片结构,具有较宽的第二部分以及较窄的第一部分,其中第一部分侧面具有侧墙;在衬底以及鳍片结构上形成层间介质层;去除侧墙,在层间介质层中留下栅极沟槽;在栅极沟槽中填充栅极堆叠。依照本发明的...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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