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本发明涉及一种双极性薄膜晶体管，包括：一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层，所述半导体层与所述源极及漏极电连接；以及，一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置，定义所述栅极覆盖的所述半导体层的区域为沟道区域；...
该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司授权不得商用。

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