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本发明属于集成电路封装技术领域,公开了一种封装基板的凸点制造方法;包括:在封装基板上制作内层线路;在封装基板表面进行化学镀铜;在内层线路正上方的化学镀铜层上电镀形成筒状凸点;蚀刻凸点范围外以及凸点内腔底部的化学镀铜层;在凸点内墙内填充低熔点...该专利属于中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。