温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供的一步制备迭孔金属层的方法，包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底上依次沉积一介电层和一顶层；选择性刻蚀所述顶层和所述介电层，在所述介电层中形成浅沟槽；选择性刻蚀，在所述浅沟槽中形成一通孔；对所述浅沟槽和所述通孔同时进行刻蚀，所...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。