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半导体装置、制作该半导体装置的方法及使用的掩模制造方法及图纸
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下载半导体装置、制作该半导体装置的方法及使用的掩模的技术资料
文档序号:10444841
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本发明公开了一种半导体装置、制作该半导体装置的方法及使用的掩模,该半导体装置包括至少一第二场区,包括一主晶粒阵列,每一晶粒具有一高度Y1以及一宽度X1,且该主晶粒阵列具有一高度Y3;该半导体装置更可包括至少一第一场区,包括具有一高度Y2及一...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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