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台湾积体电路制造股份有限公司
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具有去耦的读/写路径的存储元件制造技术
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下载具有去耦的读/写路径的存储元件的技术资料
文档序号:10375857
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本发明公开了一种具有去耦的读/写路径的存储元件,包括开关、连接在所述开关的栅极和第三线之间的电阻开关装置以及位于所述开关的栅极和第二线之间的传导路径,其中所述开关具有与第一线连接的第一端子和与第二线连接的第二端子。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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