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本发明公开了一种具有压缩性应变沟道区域的半导体器件及其制作方法，利用了包括第一半导体材料的核心和第二半导体材料的外延覆盖层的三维沟道区域。第一和第二半导体材料分别具有不同晶格常数，由此在外延覆盖层中产生应变。器件由后栅极工艺形成，使得仅在已...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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