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西安华芯半导体有限公司
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SRAM读取时间自测试电路制造技术
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文档序号:10365085
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本实用新型涉及一种SRAM读取时间自测试电路,包括待测SRAM、一个二路选择器、一个延时扫描电路、一个锁存器、一个比较器、一个计数器、第一反相器和第二反相器。通过增加一个延时扫描电路、一个比较器和一个计数器,可以实现对延时时间的自动扫描从而...
该专利属于西安华芯半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过西安华芯半导体有限公司授权不得商用。
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