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一种射频等离子体反应室，广泛应用于材料表面改性及表面处理等领域。这种射频等离子体反应室包括设置在真空腔室中的上基片台和下基片台，上基片台通过上支撑筒固定在密封盖上的上基片台固定装置上，上基片台采用容性耦合基片台或感性耦合基片台；下基片台通过...
该专利属于大连理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连理工大学授权不得商用。

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