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本发明公开了一种CuInS2单晶体的制备方法，把高纯原料粉末Cu、In、S均匀混合，真空封装入反应器，并用单一温区摇摆炉混晶的方法制备了CuInS2多晶锭，作后续籽晶和单晶生长的原料，然后用布里奇曼法制备小的CuInS2单晶块作籽晶，最后用...
该专利属于上海大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海大学授权不得商用。

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