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本发明公开了用于在同一衬底(例如硅)上的异质材料，例如III-V族半导体材料和IV族半导体(例如Ge)的共同集成的架构和技术。在实施例中，具有交替的纳米线和牺牲层的多层异质半导体材料堆叠体用来释放纳米线并允许完全围绕纳米线晶体管的沟道区的同...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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