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本申请公开了一种半导体设置及其制造方法。一示例设置可以包括：绝缘体上半导体(SOI)衬底，包括基底衬底、埋入电介质层和SOI层；在SOI衬底上形成的背栅，所述背栅穿透埋入电介质层而与基底衬底电接触；在背栅的相对两侧由SOI层形成的鳍；以及夹...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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