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本发明公开了一种在镍纳米针锥阵列上制备锗负极材料的方法。本发明的制备方法如下：首先在镍基体上利用水溶液电沉积的方法制备一定高度的镍纳米针锥阵列，然后在厌氧厌水的环境中，利用离子液体电沉积的方法制备锗负极材料，喷碳处理后组装电池，测试其电化学...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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