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本发明涉及改进后段工艺(BEOL)可靠性的方法和装置。在一些实施例中，该方法在半导体衬底上方形成具有一个或多个金属层结构的极低k(ELK)介电层。在ELK介电层上方在一个或多个金属层结构之间的位置形成第一保护层。然后在一个或多个金属层结构上...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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