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本发明公开了一种用于高压器件的超结沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管。在该超结沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管的每个单元中，超结结构包括第一导电类型的第一柱状掺杂区，其位于一对第二导电类型的第二柱状掺杂区之间，该第二柱状掺杂区邻近一对具有...
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