专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
上海华力微电子有限公司
>
一种NAND闪存器件及其制造方法技术
>技术资料下载
下载一种NAND闪存器件及其制造方法的技术资料
文档序号:10250033
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种NAND闪存器件及其制造方法,通过采用单晶硅作为浮栅,在单晶硅浮栅上生长二氧化层作为IPD氧化层,其厚度可减小到7nm左右,且质量很高,因此能够保证闪存的耦合系数和性能,还能够将NAND闪存半间距减小到20nm以下。...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。