温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例器件可以包括：在衬底上形成的鳍状结构；在衬底上形成的隔离层，该隔离层露出鳍状结构的一部分，鳍状结构的露出部分用作该半导体器件的鳍；以及在隔离层上形成的与鳍相交的栅堆叠，其中，仅在鳍与栅堆叠相交的...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。