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非易失性存储器结构及其制造工艺制造技术
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文档序号:10181383
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本发明公开了一种非易失性存储器及其制造工艺,包括:一半导体基底,其上具有的一第一有源区、一第二有源区及一第三有源区是成列排列,该第一、第二及第三有源区由一隔离区相互隔开,该隔离区包括位于该第一有源区及该第二有源区之间的第一中介隔离区,以及位...
该专利属于力旺电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过力旺电子股份有限公司授权不得商用。
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