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本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成多个假栅极堆叠、每个假栅极堆叠两侧的多个第一侧墙、以及多个第一侧墙之间的第一层间介质层；去除假栅极堆叠以及第一层间介质层，在衬底上留下多个第一侧墙；在每个第一侧墙两侧的衬底上形成多个第二...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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