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一种双应力异质SOI半导体结构，包括第一半导体层，第一隔离区，第二半导体层，第一应力材料区和第二应力材料区，其中：所述第一隔离区将所述第二半导体层隔离成不同的区块，并且延伸到第一半导体层，第二半导体层由第一隔离区分开的不同的区块与第一半导体...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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