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本发明揭示了一种背面隔离器件，包括：半导体基底，所述半导体基底具有第一表面和与之相对的第二表面；所述半导体基底包括至少两个器件单元区域以及隔离区域，所述隔离区域位于相邻的所述器件单元区域之间；所述隔离区域内的所述第一表面具有第一隔离结构，所...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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