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本发明公开了一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器，包括：SOI衬底，由下至上依次包括硅、埋氧层和顶层硅；刻蚀该顶层硅形成的一维光栅，该一维光栅由多个二氧化硅条(6)和多个硅条(7)交替分布构成，用以调制与石墨烯层作用的光场的空间分布；...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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