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本发明提供了一种应力半导体制造方法。在本发明的方法中，首先在NMOS区域沉积张应力层以在PMOS区域沉积压应力层，接着全面沉积压应力保护层；通过第一次CMP工艺，打开虚设栅极，由于在张应力层和压应力层之上剩余了部分厚度的压应力保护层，并且压...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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