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本文提供了一种或多种用于形成镶嵌间隙结构的技术或系统。在一些实施例中，在第一蚀刻终止层(ESL)和ESL密封区域之间形成间隙。例如，通过去除氧化物区域之上的低k(LK)介电区域的一部分和去除氧化物区域来形成间隙。在一些实施例中，至少因为氧化...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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