半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种能利用一个装置选择性地实现多种电路的、富有通用性的半导体装置。并且，本发明专利技术在半导体装置（SD1H）中利用外部布线（L11）来对E1C2用端子（24H）、K用端子（25H）之间进行电连接，从而实现与上臂用半导体装置等效的电路。另一方面，在具有与半导体装置（SD1H）相同结构的电路的半导体装置（SD1L）中，利用外部布线（L12）来将A用端子（23L）、E1C2用端子（24）之间进行电连接，从而实现与上臂用半导体装置不同种类的与下臂用半导体装置等效的电路。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术的目的在于提供一种能利用一个装置选择性地实现多种电路的、富有通用性的半导体装置。并且，本专利技术在半导体装置（SD1H）中利用外部布线（L11）来对E1C2用端子（24H）、K用端子（25H）之间进行电连接，从而实现与上臂用半导体装置等效的电路。另一方面，在具有与半导体装置（SD1H）相同结构的电路的半导体装置（SD1L）中，利用外部布线（L12）来将A用端子（23L）、E1C2用端子（24）之间进行电连接，从而实现与上臂用半导体装置不同种类的与下臂用半导体装置等效的电路。【专利说明】半导体装置
本专利技术涉及将多个自关断元件串联连接而构成的电路内置于壳体内的半导体装置。
技术介绍
一直以来，由IGBT等自关断元件构成的半导体装置通常采用将电路收纳在壳体内的结构。例如专利文献I公开了将多个自关断元件串联连接构成的半导体装置(开关模块)。在使用这种半导体装置，例如利用两个半导体装置来构成NPC(Neutral-Point-Clamped:中性点钳位)方式三电平逆变器用半导体装置中的各相的情况下，需要用于上臂和用于下臂的两种不同的半导体装置作为构成要素。 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：石井一史，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：
国别省市：