一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法技术

技术编号：9985117 阅读：175 留言：0更新日期：2014-05-01 09:48

一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法，本发明专利技术涉及多孔BN/Si3N4复合陶瓷的表面封孔工艺。本发明专利技术要解决现有的多孔BN/Si3N4复合透波陶瓷封孔层材料对整体材料介电性能的影响大，且较难满足高温使用要求的问题。方法：一、按比例称取原料；二、制备封孔浆料；三、采用真空浸渍法制备封孔层；四、进行干燥处理，热处理。本发明专利技术所述制备方法工艺简单，封孔层厚度均匀、致密，封孔层由Si3N4和Si2N2O复合陶瓷构成，可以通过控制Si3N4和SiO2比例实现对封孔层物相组成的控制。封孔处理后的多孔BN/Si3N4复合陶瓷可作为承载、透波和热防护材料，用于航空航天、机械工业领域。