一种高比表面积碳化硅/多孔碳复合材料的制备方法技术

一种高比表面积碳化硅/多孔碳复合材料的制备方法，它涉及一种碳化硅/多孔碳复合材料的制备方法。本发明专利技术的目的是为了解决现有技术制备的碳化硅/多孔碳复合材料中碳化硅粒径大，易团聚及碳化硅/多孔碳复合材料的比表面积小的问题。步骤：一、制备均相溶液；二、制备碳化硅/多孔碳复合材料前驱体；三、碳热还原；四、酸化、干燥。优点：一、制备的碳化硅/多孔碳复合材料中碳化硅粒径为10nm～30nm，分布均匀，未产生团聚；二、制备的碳化硅/多孔碳复合材料的比表面积为800m2/g～1400m2/g；三、合成方法简单，污染小和原料成本低，易于工业化生产。本发明专利技术可应用于液体燃料电池中催化剂的载体材料的制备。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高比表面积碳化硅/多孔碳复合材料的制备方法，其特征在于一种高比表面积碳化硅/多孔碳复合材料的制备方法具体是按以下步骤完成的：一、制备均相溶液：①首先将有机碳源和表面活性剂加入到溶剂中，在室温和搅拌速度为50r/min～200r/min的条件下搅拌0.5h～2h，然后在搅拌速度为50r/min～200r/min的条件下加入有机硅源，得到混合溶液；②使用质量分数为5%～25%的盐酸将混合溶液的pH调节至1～3，在搅拌速度为50r/min～200r/min的条件下搅拌0.5h～2h，得到均相溶液；步骤一中所述的有机碳源的体积与表面活性剂的质量比为(1.5mL～4.5mL):1g；步骤一中所述的有机碳源的体积与溶剂的体积比为1:(2～5)；步骤一中所述的有机碳源的体积与有机硅源的体积比为1:(0.2～2)；二、制备碳化硅/多孔碳复合材料前驱体：将均相溶液在室温下自然挥发12h～24h，再在温度为80℃～120℃的条件下干燥24h～48h，得到碳化硅/多孔碳复合材料的前驱体；三、碳热还原：将碳化硅/多孔碳复合材料的前驱体以2℃/min～20℃/min的升温速率从室温升温至1100℃～1350℃，并在惰性气体气氛下和温度为1100℃～1350℃的条件下进行热处理1h～10h，得到碳化后的混合物；四、酸化、干燥：①将碳化后的混合物进行研磨5min～20min，使用碱处理方法或酸处理方法去除碳化后的混合物中的二氧化硅，得到去除二氧化硅的碳化后的混合物；②通过水洗使去除二氧化硅的碳化后的混合物的pH值为6～8，再在温度为80℃～120℃的条件下干燥24h～48h，得到高比表面积碳化硅/多孔碳复合材料。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姜黎明，李俊生，左金龙，谷芳，赵丹，
申请(专利权)人：哈尔滨商业大学，
类型：发明
国别省市：