IGBT驱动电路和电压力锅制造技术

本实用新型专利技术公开一种IGBT驱动电路和电压力锅，其中IGBT驱动电路连接于电压力锅的主控制器和线圈盘之间，包括绝缘栅双极型晶体管IGBT、驱动控制模块和驱动延时模块。本实用新型专利技术的IGBT驱动电路，通过驱动控制模块根据主控制器输出的驱动控制信号控制IGBT导通或截止，驱动延时模块控制驱动控制模块延时驱动IGBT，驱动控制模块在接收到低电平的驱动控制信号时，先待驱动延时模块进行延时后才驱动IGBT，从而延长IGBT的导通时间，减小IGBT导通瞬间产生的脉冲电流，避免IGBT由于承受过大的脉冲电流而损坏，提高IGBT驱动电路的工作可靠性，进而提高采用电压力锅的可靠性，延长电压力锅的使用寿命。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开一种IGBT驱动电路和电压力锅，其中IGBT驱动电路连接于电压力锅的主控制器和线圈盘之间，包括绝缘栅双极型晶体管IGBT、驱动控制模块和驱动延时模块。本技术的IGBT驱动电路，通过驱动控制模块根据主控制器输出的驱动控制信号控制IGBT导通或截止，驱动延时模块控制驱动控制模块延时驱动IGBT，驱动控制模块在接收到低电平的驱动控制信号时，先待驱动延时模块进行延时后才驱动IGBT，从而延长IGBT的导通时间，减小IGBT导通瞬间产生的脉冲电流，避免IGBT由于承受过大的脉冲电流而损坏，提高IGBT驱动电路的工作可靠性，进而提高采用电压力锅的可靠性，延长电压力锅的使用寿命。【专利说明】IGBT驱动电路和电压力锅
本技术涉及家用电器
，尤其涉及一种IGBT驱动电路和电压力锅。
技术介绍
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)是 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应管)与GTR (Giant Transistor,大功率晶体管)的复合器件，因此集成了 MOSFET和GTR的优点，是目前较理想的开关器件。在家用电压力锅应用中，通常采用IGBT作为控制电压力锅的线圈盘产生高频交变磁场的开关器件。然而，在现有电压力锅的IGBT驱动电路中，没有设置对IGBT进行延时驱动，因此在IGBT的驱动模块接收到有效的驱动控制信号后，立即驱动IGBT，造成IGBT导通时间短，在IGBT导通瞬间容易导致所产生的脉冲电流偏大而烧毁IGBT，尤其是在EFT(Electrical Fast Transient,电快速瞬变脉冲群)干扰测试时容易造成IGBT损坏，因而降低了 IGBT驱动电路的工作可靠性。
技术实现思路
本技术的主要目的是提出一种IGBT驱动电路和电压力锅，旨在对绝缘栅双极型晶体管IGBT进行延时驱动，避免IGBT由于承受过大的脉冲电流而损坏，提高IGBT驱动电路的工作可靠性。为了达到上述目的，本技术提出一种IGBT驱动电路，该IGBT驱动电路连接于电压力锅的主控制器和线圈盘之间，包括绝缘栅双极型晶体管、用于供电源电压输入的电源输入端、用于根据所述主控制器输出的驱动控制信号控制所述绝缘栅双极型晶体管导通或截止的驱动控制模块，以及用于控制所述驱动控制模块延时驱动所述绝缘栅双极型晶体管的驱动延时模块；所述驱动控制模块的输入端与所述主控制器的驱动控制信号输出端连接，所述驱动控制模块的供电端与所述电源输入端连接，所述驱动控制模块的输出端与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极连接；所述驱动延时模块连接于所述电源输入端和所述驱动控制模块的输出控制端之间，所述绝缘栅双极型晶体管的漏极与所述线圈盘连接，所述绝缘栅双极型晶体管的源极接地。优选地，所述驱动控制模块包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻和第二电阻；所述第一三极管的基极作为所述驱动控制模块的输入端，与所述主控制器的驱动控制信号输出端连接，且经由所述第一电阻与所述电源输入端连接，所述第一三极管的发射极接地；所述第二三极管的基极与所述第一三极管的漏极连接，且经由所述第二电阻与所述电源输入端连接，所述第二三极管的漏极与所述电源输入端连接，所述第二三极管的发射极作为所述驱动控制模块的输出端，与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，且与所述第三三极管的发射极连接；所述第三三极管的基极作为所述驱动控制模块的输出控制端，与所述驱动延时模块连接，且与所述第一三极管的漏极连接，还经由所述第二电阻与所述电源输入端连接，所述第三三极管的漏极接地。优选地，所述驱动控制模块还包括第三电阻和第四电阻；所述第三电阻的一端与所述主控制器的驱动控制信号输出端连接，且经由所述第一电阻与所述电源输入端连接，所述第三电阻的另一端与所述第一三极管的基极连接；所述第四电阻的一端与所述电源输入端连接，所述第四电阻的另一端与所述第二三极管的漏极连接。优选地，所述驱动延时模块包括一第一电容；所述第一电容的一端与所述第三三极管的基极连接，且经由所述第二电阻与所述电源输入端连接，所述第一电容的另一端接地。优选地，所述IGBT驱动电路还包括用于对所述绝缘栅双极型晶体管的栅极进行稳压处理的稳压模块，所述稳压模块连接于所述驱动控制模块的输出端和所述绝缘栅双极型晶体管的栅极连接。优选地，所述稳压模块包括一稳压二极管；所述稳压二极管的阴极与所述驱动控制模块的输出端连接，且与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，所述稳压二极管的阳极接地。优选地，所述稳压模块还包括第五电阻和第六电阻；所述第五电阻的一端与所述驱动控制模块的输出端连接，所述第五电阻的另一端与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，且经由所述第六电阻接地。本技术还提出一种电压力锅，该电压力锅包括主控制器和线圈盘，还包括IGBT驱动电路，该IGBT驱动电路连接于电压力锅的主控制器和线圈盘之间，包括绝缘栅双极型晶体管、用于供电源电压输入的电源输入端、用于根据所述主控制器输出的驱动控制信号控制所述绝缘栅双极型晶体管导通或截止的驱动控制模块，以及用于控制所述驱动控制模块延时驱动所述绝缘栅双极型晶体管的驱动延时模块；所述驱动控制模块的输入端与所述主控制器的驱动控制信号输出端连接，所述驱动控制模块的供电端与所述电源输入端连接，所述驱动控制模块的输出端与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极连接；所述驱动延时模块连接于所述电源输入端和所述驱动控制模块的输出控制端之间，所述绝缘栅双极型晶体管的漏极与所述线圈盘连接，所述绝缘栅双极型晶体管的源极接地。本技术提出的IGBT驱动电路，通过驱动控制模块根据主控制器输出的驱动控制信号控制绝缘栅双极型晶体管IGBT导通或截止，通过驱动延时模块控制驱动控制模块延时驱动IGBT，驱动控制模块在接收到驱动控制信号时，先待驱动延时模块进行延时后才驱动IGBT，从而延长IGBT的导通时间，减小IGBT导通瞬间产生的脉冲电流，避免IGBT由于承受过大的脉冲电流而损坏，提高IGBT驱动电路的工作可靠性，进而提高采用该IGBT驱动电路的电压力锅的可靠性，延长电压力锅的使用寿命。【专利附图】【附图说明】图1为本技术IGBT驱动电路较佳实施例的电路结构示意图。本技术的目的、功能特点及优点的实现，将结合实施例，并参照附图作进一步说明。【具体实施方式】以下结合说明书附图及具体实施例进一步说明本技术的技术方案。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。本技术提出一种IGBT驱动电路。参照图1，图1为本技术IGBT驱动电路较佳实施例的电路结构示意图。本技术较佳实施例中，IGBT驱动电路10连接于电压力锅的主控制器20和线圈盘30之间。该IGBT驱动电路10包括绝缘栅双极型晶体管11 (下文中IGBTll即为绝缘栅双极型晶体管11)、电源输入端Vin、驱动控制模块12和驱动延时模块13。电源输入端Vin用于供电源电压输入,本实施例从电源输入端Vin输入的电源电压为18V,驱动控制模块12用于根据主控制器20输出的驱动本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT驱动电路，连接于电压力锅的主控制器和线圈盘之间，其特征在于，包括绝缘栅双极型晶体管、用于供电源电压输入的电源输入端、用于根据所述主控制器输出的驱动控制信号控制所述绝缘栅双极型晶体管导通或截止的驱动控制模块，以及用于控制所述驱动控制模块延时驱动所述绝缘栅双极型晶体管的驱动延时模块；所述驱动控制模块的输入端与所述主控制器的驱动控制信号输出端连接，所述驱动控制模块的供电端与所述电源输入端连接，所述驱动控制模块的输出端与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极连接；所述驱动延时模块连接于所述电源输入端和所述驱动控制模块的输出控制端之间，所述绝缘栅双极型晶体管的漏极与所述线圈盘连接，所述绝缘栅双极型晶体管的源极接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建化，
申请(专利权)人：美的集团股份有限公司，广东美的生活电器制造有限公司，
类型：实用新型
国别省市：