液晶显示面板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种LCD面板，包括：被形成为彼此交叉且限定像素区的栅极线和数据线；连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管；被形成为与薄膜晶体管的漏极进行部分接触的多个像素电极；以与像素电极交替的形状形成的公共电极；和在像素电极和公共电极之间形成的钝化层，其中经由单个工艺形成像素电极和公共电极。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求2012年9月27日提交的韩国专利申请N0.10-2012-0108088的优先权，在此通过参考将其整体并入本文。
本申请涉及液晶显示面板。而且,本申请涉及制造液晶显示面板的方法。
技术介绍
随着信息社会的发展，对于用于显示图像的显示器件的需求以多种方式增加。这样，正在积极研究和制造与现有技术的阴极射线管(CRT)相比更薄且重量更轻的平板显示器件。平板显示器件包括液晶显示(LCD)器件，等离子体显示(PDP)器件，有机发光显示(OLED)器件等。在平板显示器件当中，由于诸如尺寸小、重量轻、纤薄和低功率驱动等特征，因此现在广泛使用IXD器件。扭转向列模式IXD器件是目前主要使用的IXD器件之一。扭转向列模式IXD器件将电压施加到每一个都形成在两个基板上的两个电极之间，以便以扭转90°角度的方式，驱动在两个基板之间取向的液晶分子。但是，扭转向列模式LCD器件具有视角狭窄的缺陷。为了解决TN模式LCD器件的诸如视角狭窄的缺陷，正积极研究新模式LCD器件。这样，提出了 IPS (面内切换)模式IXD器件和FFS (边缘场切换)模式IXD器件，作为新模式IXD器件。图1是示出根据现有技术的IPS模式IXD器件的驱动原理的截面图。图1a是示出LCD器件关闭状态下的液晶分子取向的截面图。图1b是示出LCD器件开启状态下的液晶分子取向的截面图。参考图1，IPS模式IXD器件包括第一基板301、第二基板302和液晶层306。第一基板301和第二基板302被设置成彼此面对。包括液晶分子307的液晶层307被插入到第一基板301和第二基板302之间。在第一基板301上形成多个像素电极341和多个公共电极343。通过由像素电极341和公共电极343之间的电势差产生的电场，使液晶分子移位，以显示图像。当IXD器件关闭时，像素电极341和公共电极343之间的电势差为零，然后液晶分子307在图1a中所示的前后方向上取向。相似地，在正常黑模式下，液晶分子307在前后方向上取向，并遮挡从背光单元(未示出)施加的光，从而显示黑图像。相反，当IXD器件开启时，将不同电势施加到像素电极341和公共电极343，然后通过像素电极341和公共电极343之间的电势差产生图1b中的箭头398表示的电场。由该箭头表示的电场能使液晶分子307在左右方向上取向。换句话说，在正常白模式下，液晶分子307在左右方向上取向，并透射从背光单元(未示出)施加的光，从而显示白图像。这种IPS模式LCD器件提供宽视角，但是在亮度方面存在问题。为了解决IPS模式LCD器件的亮度问题，提出了 FFS模式LCD器件。图2是示出根据现有技术的FFS模式IXD器件的驱动原理的截面图。图2a是示出在LCD器件关闭状态下的液晶分子取向的截面图。图2b是示出在LCD器件开启状态下的液晶分子取向的截面图。图2中所示的FFS模式IXD器件具有与IPS模式IXD器件相同的结构，除了在不同层中形成像素电极和公共电极。这样，与IPS模式LCD器件的组件的结构相同的FFS模式IXD器件的组件将通过相同参考数字和名称表示。而且，将省略与IPS模式IXD器件重复的FFS模式LCD器件的描述。参考图2，FFS模式IXD器件还包括绝缘膜305。公共电极343形成在基板301和绝缘膜305之间。像素电极341形成在绝缘膜305上。当IXD器件关闭时，在像素电极341和公共电极343之间的电势差为零，然后液晶分子307在如图2a中所示的前后方向上取向。相似地，在正常黑模式下，液晶分子307在前后方向上取向，并遮挡从背光单元(未示出)施加的光，从而显示黑图像。相反，当IXD器件开启时，将不同电势施加到像素电极341和公共电极343，然后通过像素电极341和公共电极343之间的电势差产生由图2b中的箭头308表示的电场。由箭头308表示的电场能使液晶分子307在左右方向上取向。换句话说，在正常白模式下，液晶分子307在左右方向上取向，并透射从背光单元(未示出)施加的光，从而显示图像。以这种方式，与IPS模式IXD器件不同，FFS模式IXD器件使像素电极341和公共电极343设置在不同层中。这样，FFS模式IXD器件不仅能产生面内电场，还能产生垂直电场且精确地使液晶分子取向。据此，与IPS模式IXD器件相比，FFS模式IXD器件能提供更高亮度。在FFS模式IXD器件中，在形成位置方面，像素电极341和公共电极343能彼此替换。例如，像素电极341可形成在基板301和绝缘膜305之间，公共电极343也可形成在绝缘膜305上。FFS模式IXD器件中的各像素电极之间的距离越狭窄，液晶分子的工作效率就越高。但是，由于制造工艺中的干扰，比如光衍射特性引起的掩膜容限，导致难以将像素电极之间的距离窄化至低于临界值。由于这个原因，无法增强FFS模式LCD器件的透光率。
技术实现思路
因此，本申请的实施例涉及到IXD面板及其制造方法，其基本避免了由于现有技术的限制和不足导致的一个或多个问题。实施例提供了一种IXD面板，其适合于通过升高液晶工作效率增强透光率。而且，实施例提供了具有简化工序的IXD器件的制造方法。在下文描述中将列举实施例的其他特征和优势，且根据该描述其一部分是显而易见的，或者是通过实践实施例可获知的。通过所撰写的说明书及其权利要求以及所附附图中特别指出的结构可实现并获得实施例的优势。根据本实施例第一个一般方面，IXD面板包括:被形成为彼此交叉且限定像素区的栅极线和数据线；被连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管；被形成为与薄膜晶体管的漏极进行部分接触的多个像素电极；以与像素电极交替的形状形成的公共电极；和在像素电极和公共电极之间形成的钝化层，其中经由单个工艺形成像素电极和公共电极。根据本实施例第一个一般方面的LCD面板制造方法，包括:在基板上形成栅极线和栅极，其从所述栅极突出；在提供有栅极线的基板上形成栅极绝缘膜和半导体层，在栅极绝缘膜上形成数据线和源极及漏极；在提供有数据线和源极及漏极的栅极绝缘膜上形成钝化层；在钝化层中形成多个像素接触沟槽；和通过在提供有多个像素接触沟槽的钝化层上涂覆透明导电材料来形成多个像素电极和公共电极。一旦查阅了以下附图和具体描述，其他系统、方法、特征和优势将会或者将变得对本领域技术人员显而易见。意指所有这种其他系统、方法、特征和优势都包括在本说明书中，落在本专利技术的范围内，且受到以下权利要求的保护。这一部分中没有对权利要求构成限制。下文将结合实施例讨论其他方面和优势。将理解，本专利技术的上文的一般描述和下文的具体描述都是示范性和说明性的且意在提供如所请求保护的本专利技术的进一步解释。【附图说明】包括附图以提供实施例的进一步理解，且本文中其结合到该申请中并构成其一部分，附图示出了本专利技术的实施例且与该描述一起用于解释本专利技术。附图中:图1是示出根据现有技术的IPS模式IXD器件的驱动原理的截面图；图2是示出根据现有技术的FFS模式IXD器件的驱动原理的截面图；图3是示出根据本专利技术第一实施例的LCD面板的薄膜晶体管基板的平面图；图4是示出根据本专利技术第一实施例的LCD面板的薄膜晶体管基板的截面图，该图是沿着图3中的线A-A’、B-B’和C-C’取得的；图5A至5E是示出根据本专利技术第一实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示面板，包括：被形成为彼此交叉且限定像素区的栅极线和数据线；连接到所述栅极线和数据线的薄膜晶体管；被形成为与所述薄膜晶体管漏极进行部分接触的多个像素电极；以与所述像素电极交替的形状形成的公共电极；和在所述像素电极和所述公共电极之间形成的钝化层，其中，经由单个工艺形成所述像素电极和所述公共电极。

【技术特征摘要】
2012.09.27 KR 10-2012-01080881.一种液晶显示面板,包括: 被形成为彼此交叉且限定像素区的栅极线和数据线； 连接到所述栅极线和数据线的薄膜晶体管； 被形成为与所述薄膜晶体管漏极进行部分接触的多个像素电极； 以与所述像素电极交替的形状形成的公共电极；和 在所述像素电极和所述公共电极之间形成的钝化层， 其中，经由单个工艺形成所述像素电极和所述公共电极。2.如权利要求1所述的液晶显示面板，其中所述多个像素电极是在经由穿过所述钝化层的多个像素接触沟槽而暴露的漏极上形成的。3.如权利要求2所述的液晶显示面板，其中所述钝化层包括具有彼此不同的蚀刻速度的第一钝化层和第二钝化层。4.如权利要求3所述的液晶显示面板，其中 将所述第二钝化层叠置在所述第一钝化层上，以及 所述第一钝化层的蚀刻速度高于所述第二钝化层的蚀刻速度。5.如权利要求4所述的液晶显示面板，其中随着所述像素接触沟槽从所述第二钝化层向着第一钝化层行进，所述像素接触沟槽在所述钝化层的向内方向上倾斜。6.如权利要求3所述的液晶显示面板，其中通过调整在形成钝化层时使用的混合气体的混合比率，来形成所述 的具有不同蚀刻速度的第一钝化层和第二钝化层。7.如权利要求1所述的液晶显示面板，其中沿着与所述栅极线平行的方向，纵向形成所述漏极。8.如权利要求1所述的液晶显示面板，还包括通过沿着与所述栅极线平行的方向延伸而形成的公共线，其中所述公共电极包括: 与所述公共线交叠的水平条；和 与所述水平条连接、且与所述多个像素电极交替的多个垂直条。9.如权利要求8所述的液晶显示面板，其中所述水平条经由公共接触孔而电连接到所述公共线。10.如权利要求1所述的液晶显示面板，还包括形成在像素区中、且被配置成将所述多个像素电极连接到所述漏极的下部像素电极。11.如权利要求2所述的液晶显示面板，其中在除了所述像素接触沟槽之外的所述钝化层上，整体地形成所述公共电极。12.一种液晶显示面板的制造方法，所述方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：金大玹，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR