【技术实现步骤摘要】
区熔炉多晶棒保温装置
本技术是关于半导体制造领域，特别涉及区熔炉多晶棒保温装置。
技术介绍
硅材料是现代信息社会的基础，它不仅是光伏发电等产业的主要功能材料，也是半导体产业，特别是电力电子器件的基础材料。区熔法(FZ)生产单晶硅是区别于直拉炉(CZ)的一种新型的单晶生长方法，它利用高频感应加热线圈将高纯度的多晶料局部融化，熔区依靠熔硅的表面张力和加热线圈提供的磁托浮力而处于悬浮状态，然后从熔区的下方利用籽晶将熔硅拉制成单晶。由于没有坩埚污染，区熔炉生长的单晶硅纯度高，均匀性好，低微缺陷，其优良的电学性能非常适合制作高反压、大电流、大功率的电力电子器件。区熔硅单晶的生长采用悬浮区域熔炼法，即用高频感应加热线圈加热多晶硅料使其熔化，在线圈下方用籽晶接住熔融硅连续生长出单晶棒。正常的区熔炉生产包括准备工作一预热一熔接一细颈一扩肩一等径一收尾一冷却等过程，整个过程依等径时间不同约耗时6?12小时，若除去等径阶段则约耗时3小时，其中预热时间约为30?60分钟。由于区熔单晶生长的复杂性，在区熔炉生产过程中因断楞、流熔等而造成单晶生长意外终止的情况并不鲜见，发生概率不小...
【技术保护点】
区熔炉多晶棒保温装置，多晶棒在区熔炉的主加热线圈的上方，单晶棒在主加热线圈的下方，且多晶棒和单晶棒通过主加热线圈中心的圆孔相熔接，其特征在于，区熔炉多晶棒保温装置包括至少一个设置在多晶棒外部的辅助加热器，辅助加热器的两个端部分别设有接口，接口通过电缆与辅助加热电源相连，辅助加热电源用于对辅助加热器施加电流，通有电流的辅助加热器能对多晶棒实现保温；辅助加热电源通过信号线依次连接有数据分析模块和红外测温仪，红外测温仪用于实时监测多晶棒下端的温度，并将测得的温度数据传送给数据分析模块，数据分析模块用于通过判断红外测温仪传送来的温度数据，控制辅助加热电源施加在辅助加热器上的电流大小。
【技术特征摘要】
1.区熔炉多晶棒保温装置，多晶棒在区熔炉的主加热线圈的上方，单晶棒在主加热线圈的下方，且多晶棒和单晶棒通过主加热线圈中心的圆孔相熔接，其特征在于，区熔炉多晶棒保温装置包括至少一个设置在多晶棒外部的辅助加热器，辅助加热器的两个端部分别设有接口，接口通过电缆与辅助加热电源相连，辅助加热电源用于对辅助加热器施加电流，通有电流的辅助加热器能对多晶棒实现保温；辅助加热电源通过信号线依次连接有数据分析模块和红外测温仪，红外测温仪用于实时监测多晶棒下端的温度，并将测得的温度数据传送给数据分析模块，数据分析模块用于通过判断红外测温仪传送来的温度数据，控制辅助加热电源施加在辅助加热器上的电流大小。2.根据权利要求1所述的区熔炉多晶棒保温装置，其特征在于，所述区熔...
【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳鹏根，陈明杰，王丹涛，傅林坚，曹建伟，石刚，邱敏秀，蒋庆良，
申请(专利权)人：浙江晶盛机电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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