一种电容器的高频吸收薄膜制造技术

技术编号:9832710 阅读:101 留言:0更新日期:2014-04-01 23:19
本发明专利技术涉及一种电容器的高频吸收薄膜,采用四层膜同轴卷绕成电容器芯子,所述薄膜从里到外依次包括:第一金属化膜、第二金属化膜、第三金属化膜及第四金属化膜,第一金属化膜为双面金属化膜,第三金属化膜为单面金属化膜,第二金属化膜和第四金属化膜为光膜。本发明专利技术所述电容器的高频吸收薄膜,在同等的耐压强度下,本发明专利技术的电容器要比用常规卷制结构卷制的电容器体积要小,且电容器的耐电流能力增大,耐高频冲击能力也增加许多,满足实际使用要求。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种电容器的高频吸收薄膜,采用四层膜同轴卷绕成电容器芯子,所述薄膜从里到外依次包括:第一金属化膜、第二金属化膜、第三金属化膜及第四金属化膜,第一金属化膜为双面金属化膜,第三金属化膜为单面金属化膜,第二金属化膜和第四金属化膜为光膜。本专利技术所述电容器的高频吸收薄膜,在同等的耐压强度下,本专利技术的电容器要比用常规卷制结构卷制的电容器体积要小,且电容器的耐电流能力增大,耐高频冲击能力也增加许多,满足实际使用要求。【专利说明】一种电容器的高频吸收薄膜
本专利技术涉及一种金属化薄膜,尤其是一种电容器的高频吸收薄膜,属于电子元器件

技术介绍
目前市场上普遍使用的高频吸收电容器,其金属化薄膜卷绕方式是在两层铝箔之间加上光膜卷制而成电容器芯子,如图1所示。但在实际制作过程中,因铝箔厚度较厚,与光膜之间的接触不致密,卷制成的电容器芯子比较松散,在后道工序中,芯子内部容易进入杂质,成品率比较低,且卷制成的电容器体积比较大,无法满足日益小型化、微型化的使用要求。
技术实现思路
本专利技术正是针对现有技术存在的不足,提供一种电容器的高频吸收薄膜。为解决上述问题,本专利技术所采取的技术方案如下: 一种电容器的高频吸收薄膜,采用四层膜同轴卷绕成电容器芯子,所述薄膜从里到外依次包括:第一金属化膜、第二金属化膜、第三金属化膜及第四金属化膜,第一金属化膜为双面金属化膜,第三金属化膜为单面金属化膜,第二金属化膜和第四金属化膜为光膜。作为上述技术方案的改进,所述第一金属化膜为中留边双面金属化膜。本专利技术与现有技术相比较,本专利技术的实施效果如下: 本专利技术所述电容器的高频吸收薄膜,在同等的耐压强度下,本专利技术的电容器要比用常规卷制结构卷制的电容器体积要小,且电容器的耐电流能力增大,耐高频冲击能力也增加许多,满足实际使用要求。【专利附图】【附图说明】图1为现有技术中金属化薄膜卷制结构示意图; 图2为本专利技术所述电容器结构示意图; 图3为本专利技术所述高频吸收薄膜卷制结构示意图。【具体实施方式】下面将结合具体的实施例来说明本专利技术的内容。如图2所示,为本专利技术所述电容器结构示意图。本专利技术所述电容器,包括:外壳10、接线端子20、灌封树脂30、电容器芯子40。所述接线端子20直接焊接在电容器芯子40上,嵌装在外壳10中,在外壳10内灌封环氧树脂30。如图3所示,本专利技术所述的电容器芯子40,采用四层膜同轴卷绕而成,从里到外依次包括:第一金属化膜41、第二金属化膜42、第三金属化膜43及第四金属化膜44,第一金属化膜41为双面金属化膜,第三金属化膜43为单面金属化膜,第二金属化膜42和第四金属化膜44相同,为两层光膜。四层膜卷制成圆柱形芯子,形成电容器芯子40。本专利技术所述的电容器芯子40,第一金属化膜41为中留边双面金属化膜,大大增加了薄膜电容器的载流能力,能承受高频电路的反复冲击。本专利技术的电容器芯子40的卷绕,在两层金属化膜之间加上两层光膜,增加了整个电容器的耐压强度,大大增加了薄膜电容器的载流能力,能承受高频电路的反复电流冲击,更好地应用在高频电路中。在同等要求的电压强度下,电容器的体积可以缩小一半。【权利要求】1.一种电容器的高频吸收薄膜,采用四层膜同轴卷绕成电容器芯子(40),其特征是,所述薄膜从里到外依次包括:第一金属化膜(41)、第二金属化膜(42)、第三金属化膜(43)及第四金属化膜(44),第一金属化膜(41)为双面金属化膜,第三金属化膜(43)为单面金属化膜,第二金属化膜(42)和第四金属化膜(44)为光膜。2.如权利要求1所述的一种电容器的高频吸收薄膜,其特征是,所述第一金属化膜(41)为中留边双面金属化膜。【文档编号】H01G4/008GK103680944SQ201310720308【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年12月24日 优先权日:2013年12月24日 【专利技术者】徐湘华, 周峰 申请人:安徽赛福电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器的高频吸收薄膜,采用四层膜同轴卷绕成电容器芯子(40),其特征是,所述薄膜从里到外依次包括:第一金属化膜(41)、第二金属化膜(42)、第三金属化膜(43)及第四金属化膜(44),第一金属化膜(41)为双面金属化膜,第三金属化膜(43)为单面金属化膜,第二金属化膜(42)和第四金属化膜(44)为光膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:徐湘华周峰
申请(专利权)人:安徽赛福电子有限公司
类型:发明
国别省市:安徽;34

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