【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有网络结构纳米线的纳米线传感器
本专利技术涉及使用纳米线的纳米线传感器，尤其是涉及具有网络结构纳米线的纳米线传感器，通过使用具有重复图案的网络结构而不是直线结构的纳米线，从而获得高效率和结构稳定性。
技术介绍
电化学传感器作为将对象物质的物理或化学特性转换为电气信号的元件，是一种根据对象物质的种类，而作为生物传感器、化学传感器以及环境传感器等的使用用途而备受期待的元件。为了使用电化学传感器检测和分析对象物质，需要具有即使是对于对象物质的细微特征也可以表现出较大信号变化的高灵敏度，并且需要具有耐体液的化学成分的化学稳定性和不受流体流动影响的物理稳定性。此外，为了使用便利，需要可以使用现有的测量平台，并且为了经济型和实用性，需要以易于量产的结构制造。在这方面，使用现有半导体工艺的硅传感器最适合于电化学传感器的要求。其中，纳米线通道作为一维结构具有高的栅极控制能力，并且具有高于平板硅通的体积比面积比例从而可以获得高灵敏度，因此对其进行着许多研究。图1为示出使用传统纳米线的纳米线传感器的示例的视图。参照图1，在传统的纳米线传感器中，将检测物质40附着到形成在源电...
【技术保护点】
一种具有网格结构纳米线的纳米线传感器，包括：源电极和漏电极，形成在基板上部；纳米线，形成在所述源电极与所述漏电极之间并且以重复交点图案的网格结构形成；以及检测物质，固定到所述纳米线并且选择性地与流入的对象物质进行反应。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.04.14 KR 10-2011-00348601.一种具有网格结构纳米线的纳米线传感器,包括: 源电极和漏电极，形成在基板上部； 纳米线，形成在所述源电极与所述漏电极之间并且以重复交点图案的网格结构形成；以及 检测物质，固定到所述纳米线并且选择性地与流入的对象物质进行反应。2.如权利要求1所述的纳米线传感器，其中， 所述基板为半导体、聚合物或非导体材质的基板。3.如权利要求1所述的纳米线传感器，其中， 所述纳米线为硅、化合物半导体或聚合物材质的纳米线。4.如权利要求1所述的纳米线传感器，其中， 所述纳米线以X形、Y形、T形或十字形构成，并且以连续性重复交点图案的网格结构形成。5.如权利要求1所述的纳米线传感器，其中， 所述纳米线的宽度为5nm至1μ m。6.如权利要求1所述的纳米线传感器，其中， 重复交点图案的交点的间隔为1Onm至1μ m。7.如权利要求1所述的纳米线传感器，其中， 所述纳米线的下部不附着于所述基板的上部，而是以预定间隔相隔。8.如权利要求5所述的纳米线传感器，其中， 所述检测物质与所述对象物质之间的选择性反应是在所述纳米线的上部、两侧面和下部处进行。9.如权利要求1所述的纳米线传感器，其中， 在所述源电极区域与所述漏电极区域之间经过所述纳米线上的一个交点路径中，存在着纳米线长度相同的两个或多个路径。10.如权利要求1所述的纳米线传感器，还包括: 水下栅电极，形成在所述基板上部， 其中，所述水下电极将电位直接施加至含有所述对象物质的溶液。11.如权利要求10所述的纳米线传感器，其中， 在除了纳米线区域和水下栅电极区域以外的区域之上形成绝缘层。12.如权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李正守，丁润夏，林兑旭，白昌基，金成镐，金岐泫，
申请(专利权)人：浦项工科大学校产学协力团，
类型：
国别省市：
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