触控电极模块及其触控装置制造方法及图纸

本发明专利技术为一种触控电极模块及其触控装置，该触控电极模块包含多个第一电极、多个第二电极及多个遮蔽电极。该些第一电极相互串接，且每一第一电极的边缘包含至少一电极缺口；该些第二电极相互串接，且每一第二电极的边缘包含至少一电极缺口，又该些第二电极交错于该些第一电极；及多个遮蔽电极位于该些第一电极的该至少一电极缺口及该些第二电极的该至少一电极缺口。如此，藉由电极缺口的设置，以使该些第一电极及该些第二电极之间的电性状态可以大幅变化，而提升触控装置的侦测灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
触控电极模块及其触控装置
本专利技术为一种触控电极模块及其触控装置，尤其是相关于一种提高触控侦测灵敏度与视觉效果(亮度)均匀化的触控电极模块及其触控装置。
技术介绍
投射电容式触控技术不只使用在大尺寸面板，在中小尺寸面板如智能型手机以及平板计算机的应用市场更是大势所趋。投射式触控的感应组件是利用两层导电层(ITO)的矩阵排列贴合后构成，当手指或是导电笔接触到电极的时候，会影响且改变电极上的电力线与电容值。藉由电子组件量测因触控而产生的电容改变量，再转换成为xy坐标以回报至操作系统端。有两种讯号量测的方式，一种是自感式(selfcapacitance)，另一种为互感式(mutualcapacitance)。在互感式的讯号扫描方式中，集成电路(IntegratedCircuit，IC)会在每个独立的电极中输入电性讯号，以企图在每个电极位置形成一固定量的感应电力线分布状态，此电力线会区域性的与电极本身周围的电极相关联。当手指触控至电极附近时，原本电极周围相互感应的电力线会因为手指触控而改变，集成电路可以计算该电极相对应电容值的改变量而换算成为触控点的位置。请参阅图1，其为对象未靠近电极时的感应状态示意图。如图所示，触控装置13包含电极10及电极11，电极10及电极11之间具有一固定量的感应电力线12，此时的感应电力线12为对象未靠近电极时的状态。请参阅图2，其为对象靠近电极时的感应状态示意图。如图所示，当物件14靠近电极10、11时，对象14导致感应电力线12改变，触控装置13即依据感应电力线12的改变，而获得对象14触碰触控装置13的位置。因此，若感应电力线12改变的幅度不足，则触控装置13无法确认对象14所触碰的位置，或产生误判的现象。再者，除了感应电力线的变化量之外，电容式触控板的效能亦与一基本电容(C-base)有相关，当基本电容高时，感应电力线的变化量变得不明显，感应不易，因此效能降低，换言之，电容式触控面板的效能正比于ΔC/C-base，所以，除了可以增加感应电力线的变化量来提升效率之外，另可以降低基本电容来提升效率。故，本专利技术的触控电极模块及其触控装置，其改变电极结构，以降低电极的基本电容而提升电容式触控板的效能，进而增加触控装置的触控侦测灵敏度，并增加多个遮蔽电极而达到视觉效果均匀化的目的。
技术实现思路
本专利技术的目的之一，在于提供一种触控电极模块及其触控装置，其藉由在多个第一电极与多个第二电极的边缘设置至少一电极缺口，以增进一触控装置的侦测灵敏度。本专利技术的目的之一，在于提供一种触控电极模块及其触控装置，其藉由多个遮蔽电极设置于该些第一电极的电极缺口与该些第二电极的电极缺口，以达到视觉效果均匀化的目的。为达以上目的，本专利技术改变触控装置的触控电极模块的结构，该触控电极模块包含多个第一电极、多个第二电极及多个遮蔽电极。该些第一电极相互串接，每一第一电极的边缘包含至少一电极缺口；该些第二电极相互串接，每一第二电极的边缘包含至少一电极缺口，且该些第二电极交错于该些第一电极；及多个遮蔽电极位于该些第一电极的电极缺口及该些第二电极的电极缺口。如此，本专利技术藉由电极缺口的设置，以使该些第一电极及该些第二电极之间的电性状态可以大幅变化，而提升触控装置的侦测灵敏度。此外，本专利技术藉由该些遮蔽电极设置于该些第一电极的电极缺口与该些第二电极的电极缺口，以达到视觉效果均匀化的目的。实施本专利技术产生的有益效果是：本专利技术的触控电极模块及其触控装置中，该触控电极模块包含多个第一电极、多个第二电极及多个遮蔽电极。该些第一电极相互串接，且每一第一电极的边缘包含至少一电极缺口；该些第二电极相互串接，且每一第二电极的边缘包含至少一电极缺口，又该些第二电极交错于该些第一电极；及多个遮蔽电极位于该些第一电极的该至少一电极缺口及该些第二电极的该至少一电极缺口。如此，藉由电极缺口的设置，以使该些第一电极及该些第二电极之间的电性状态可以大幅变化，而提升触控装置的侦测灵敏度。附图说明图1为对象未靠近电极时的感应状态示意图；图2为对象靠近电极时的感应状态示意图；图3为本专利技术的触控电极模块的一实施例的示意图；图4为本专利技术的对象靠近电极时的电性状态示意图；图5为为本专利技术的电极缺口的设置位置的另一实施例的示意图；图6A为本专利技术的触控电极模块的又一实施例的示意图；图6B为本专利技术的触控电极模块的其它实施例的示意图；及图6C为本专利技术的触控电极模块的其它实施例的示意图。【图号对照说明】10电极11电极12感应电力线13触控装置14物件20第一电极21第二电极22感应电力线23触控感应电力线24感应电力线的变化量25电极间距26遮蔽电极27扫描电路28侦测电路29遮蔽电极30遮蔽电极A第一间距B第二间距C间距D间距V27电性讯号具体实施方式为了使本专利技术的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，特用较佳的实施例及配合详细的说明，说明如下：请参阅图3，其为本专利技术的触控电极模块的一实施例的示意图。如图所示，本专利技术的触控电极模块包含多个第一电极20、多个第二电极21与多个遮蔽电极26。该些第一电极20相互串接，并该些第二电极21相互串接，该些第二电极21交错于该些第一电极20，而呈现一矩阵排列。本专利技术为了使对象14(例如手指或触控笔)触碰触控装置13的该些第一电极20与该些第二电极21(如图4所示)时，而可以提升该些第一电极20与该些第二电极21之间的触碰效能，所以，本专利技术的该些第一电极20的边缘及该些第二电极21的边缘分别包含至少一电极缺口25，于本实施例中，本实施例的该些第一电极20与该些第二电极21的形状为一菱形，并该些第一电极20与该些第二电极21的四个边缘各包含一个电极缺口25，该些电极缺口25用于改变该些第一电极20及该些第二电极21的电性状态。电性状态代表该些第一电极20及该些第二电极21的一基本电容(C-base)，该些电极缺口25即用以改变该些第一电极20及该些第二电极21的基本电容。依据电容储存技术，两金属平行板的面积决定电容量，即两金属平行板的面积决定能量储存的多寡，所以，该些第一电极20及该些第二电极21的面积即决定能量储存(即基本电容)的多寡。如此，该些第一电极20及该些第二电极21藉由该些电极缺口25改变面积，而降低该些第一电极20及该些第二电极21的储存能量，即本专利技术藉由设置该些电极缺口而降低该些第一电极20及该些第二电极21的基本电容，而对应使该些第一电极20及该些第二电极21之间的感应电力线相对大幅变化，而提升触控装置的侦测灵敏度。再者，由于本专利技术的触控电极模块系设置于一显示面板的上方，使显示面板透过触控电极模块而显示一影像画面供使用者可以由影像画面而对触控电极模块进行触碰，然而，本专利技术于该些第一电极20与该些第二电极21的边缘设置电极缺口，所以，使显示面板所提供的影像画面经过触控电极模块后，造成影像画面会有视觉效果不均匀的现象，所以，本专利技术利用该些遮蔽电极26设置于该些第一电极20与该些第二电极21的电极缺口，则可以达到视觉效果均匀化的现象。请一并参阅图4，其为本专利技术的对象靠近电极时的电性状态示意图。如图所示，图4为图3的ZZ’方向的剖面图。触控装置13包含该些第一电极20及该些第二电极21，该些第一电极极20及该些第二电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触控电极模块，其特征在于，其包含：多个第一电极，该些第一电极相互串接，每一第一电极的边缘包含至少一电极缺口；多个第二电极，该些第二电极相互串接，每一第二电极的边缘包含至少一电极缺口，且该些第二电极交错于该些第一电极；及多个遮蔽电极，位于该些第一电极的该至少一电极缺口及该些第二电极的该至少一电极缺口。

【技术特征摘要】
2012.08.20 TW 1011301801.一种触控电极模块，其特征在于，其包含：多个第一电极，该些第一电极相互串接，每一第一电极的边缘包含至少一电极缺口；多个第二电极，该些第二电极相互串接，每一第二电极的边缘包含至少一电极缺口，且该些第二电极交错于该些第一电极；及多个遮蔽电极，位于该些第一电极的该至少一电极缺口及该些第二电极的该至少一电极缺口；其中，该些第一电极为纵向排列，且该些第一电极更包含四个电极缺口，该些第一电极的上侧边缘包含两个电极缺口，该些第一电极的下侧边缘包含两个电极缺口，上侧边缘的两个电极缺口之间的间距大于上侧边缘的电极缺口与下侧边缘的电极缺口之间的间距。2.如权利要求1所述的触控电极模块，其特征在于，其中该些第一电极及该些第二电极为一多边形。3.如权利要求2所述的触控电极模块，其特征在于，该多边形为如图6B或图6C所示的形状。4.如权利要求1所述的触控电极模块，其特征在于，其中该第一电极的该至少一电极缺口与该第二电极的该至少一电极缺口相对。5.如权利要求1所述的触控电极模块，其特征在于，其中，该些遮蔽电极的形状随着该些第一电极的该至少一电极缺口及该些第二电极的该至少一电极缺口的形状而改变。6.如权利要求1所述的触控电极模块，其特征在于，其中，该些遮蔽电极与该些第一电极的该至少一电极缺口之间具有一第一间距，该些遮蔽电极与该些第二电极的该至少一电极缺口之间具有一第二间距。7.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐烜龙，孙士强，郭晓璋，林志佑，
申请(专利权)人：矽创电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：