【技术实现步骤摘要】
具有ー维光子晶体的上转换非晶硅太阳电池及其制造エ艺
本专利技术涉及ー种太阳能电池,特别涉及ー种同时结合和上转换技术与ー维光子晶体全反射技术的新型太阳电池的结构和制备方法。
技术介绍
当前太阳能发电技术已经得到了一定程度的应用与发展,但是并没有大規模普及,其中ー个重要的原因是太阳能电池的成本过高,为降低太阳电池的成本,一方面要減少太阳电池的生产制造成本。另一方面要提高太阳电池的转换效率。非晶硅太阳电池属于薄膜电池,其厚度只有0.2至0.4微米。晶硅太阳电池的厚度为200微米左右,前者可以大大节省材料成本。然而前者的转换效率没有后者高,限制了其应用和发展。
技术实现思路
专利技术目的:本专利技术的目的是为了解决现有技术中的不足,提供ー种转换效率高、节省材料的具有ー维光子晶体的上转换非晶硅太阳电池及其制造エ艺。技术方案:本专利技术所述的ー种具有ー维光子晶体的上转换非晶娃太阳电池,其结构由上往下依次为非晶硅太阳电池、こ烯-醋酸こ烯共聚物EVA、上转换器、こ烯-醋酸こ烯共聚物EVA、ー维光子晶体反射镜。作为优选,所述非晶娃太阳电池包括玻璃衬底、透明导电电极(TC0) ...
【技术保护点】
一种具有一维光子晶体的上转换非晶硅太阳电池,其特征在于:其结构由上往下依次为非晶硅太阳电池(1)、乙烯?醋酸乙烯共聚物EVA(2)、上转换器(3)、乙烯?醋酸乙烯共聚物EVA(2)、一维光子晶体反射镜(4)。
【技术特征摘要】
1.ー种具有ー维光子晶体的上转换非晶硅太阳电池,其特征在于:其结构由上往下依次为非晶硅太阳电池(I)、乙烯-醋酸乙烯共聚物EVA (2)、上转换器(3)、乙烯-醋酸乙烯共聚物EVA (2)、ー维光子晶体反射镜(4)。2.根据权利要求1所述的ー种具有ー维光子晶体的上转换非晶硅太阳电池,其特征在干:所述非晶硅太阳电池(I)包括玻璃衬底、透明导电电极(TCO)、窗ロ层p层、本征层i层和n层。3.根据权利要求1所述的ー种具有ー维光子晶体的上转换非晶硅太阳电池,其特征在于:所述上转换器是由卤化物、氧化物、或者硫化物等粉末状或者玻璃态的含有稀土离子掺杂的物质制成。4.ー种具有ー维光子晶体的上转换非晶硅太阳电池的制备エ艺如下: (1)制备非晶硅太阳电池: I)采用常规エ艺,利用直流磁控溅射技术制备掺铝氧化锌透明导电前电极; 利用PECVD依次沉积非晶硅太阳电池的p层、i层、n层,所用气源为硅烷与磷烷、硅烷与氢气、硅烷与硼烧; 3)利用直流磁控溅射技术制备掺铝氧化锌透明导电后电极; (2)制备上转换器: 1)采用水热法合成上转换材料,上转换由基质和和掺杂在其中三价稀土离子组成,稀土离子为材料的发光中心; 2)将所得上转换材料与固化材料聚二甲基硅氧烷混合均...
【专利技术属性】
技术研发人员:周建朋,汤叶华,马跃,夏建汉,郝秀利,王孟,
申请(专利权)人:欧贝黎新能源科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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