【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管结构
本专利技术涉及半导体
,特别是涉及一种发光二极管结构。
技术介绍
发光二极管通常选用蓝宝石作为异质外延的衬底,但蓝宝石与形成发光二极管的半导体材料之间存在晶格失配,造成外延晶体结构中存在高密度的线缺陷,这使得发光二极管制备工艺复杂,影响器件的电流扩展、输出光功率等特性,而且蓝宝石导热性能也不佳,使得其散热问题突出;这些问题的存在使得蓝宝石衬底和外延层材料的分离十分必要。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供了一种发光二极管,其避免了蓝宝石与形成发光二极管的半导体材料之间存在晶格失配。本专利技术提出的一种发光二极管结构,自下而上依次具有铜衬底、GaN缓冲层、AlInN层、n-GaN层、多量子阱层、p-AGaN层、p-GaN层,其中,GaN缓冲层的厚度为30_45nm,AlInN层的厚度为80-150nm,n_GaN层的厚度为3-5 μ m,多量子阱层厚度为30_80nm,p-AGaN层40-60nm, p-GaN 层 200_300nm ;铜衬底的厚度为 120-150 微米。本专利技术具有如下有益效果:本专利技术的发光二极管结构由于采用了铜衬底,因此可以避免蓝宝石与形成发光二极管的半导体材料之间存在的晶格失配。【具体实施方式】以下结合实施例来进一步解释本专利技术。本专利技术提出的一种发光二极管结构,自下而上依次具有铜衬底、GaN缓冲层、AlInN层、n-GaN层、多量子阱层、p-AGaN层、p-GaN层,其中,GaN缓冲层的厚度为30_45nm,AlInN层的厚度为80-150nm,n_GaN层的厚度为3-5 μ m ...
【技术保护点】
一种发光二极管结构,自下而上依次具有铜衬底、GaN缓冲层、AlInN层、n?GaN层、多量子阱层、p?AGaN层、p?GaN层。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管结构,自下而上依次具有铜衬底、GaN缓冲层、AlInN层、n_GaN层、多星子讲层、P-AGaN层、P-GaN层。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于: 其中,GaN缓冲层的厚度为30-45nm,AlInN层的厚度为80_150nm,n_GaN层的厚度为3-5 μ m,多量子阱层厚度为30-80nm,p-AGa...
【专利技术属性】
技术研发人员:丛国芳,
申请(专利权)人:溧阳市东大技术转移中心有限公司,
类型:发明
国别省市:
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