【技术实现步骤摘要】
一种测量功率型LED热阻的方法
本专利技术涉及半导体领域，确切地说，是一种测量功率型LED热阻的方法。
技术介绍
随着发光二极管的发展，现于广泛的用于应用于背光源、交通信号灯及通用照明等领域。功率型LED作为半导体照明的关键部件，它的结温变化会使芯片发射光谱红移，导致荧光粉量子效率上的降低，影响出光效率及色温、色度变化，加速荧光粉及芯片的老化，缩短使用寿命。但是，现有技术测量功率型LED芯片的结温和热阻的方法存在以下缺点:只能测量未封装的裸露芯片，对封装后的芯片必须拆封后才能进行测量，并且仪器昂贵。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种测量功率型LED热阻的方法，旨在解决对封装后功率型LED芯片的热阻进行测量，且保存其外表的完好性。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种测量功率型LED热阻的方法，所述方法包括: 步骤1:将待测LED放置于恒温箱内，调节恒温箱的温度为30°C，加热保持30分钟；步骤2:待加热完毕后，调整恒流源使待测LED流过的电流为5mA，等待测LED正向压降稳定时，记录相应的正向压降；步骤3:将恒温箱温度分别设置为40°c、50°c、6(rc、7(rc、8(rc，重复步骤1、2，并记录各温度下的正向压降；步骤4:利用公式(1)，采用最小二乘法对测试数据拟合，求出K系数值:Vft = VF0+K (T-T0) (I)式(I)中，K为电压随温度变化的系数，T为测试条件稳定时LED的结温温度，Ttl为指定环境的待测温度，VFT, Vfo分别为环境温度T、T0时LED两端的电压；步骤5:将恒温箱控制在30°C，待测...
【技术保护点】
一种测量功率型LED热阻的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1：将待测LED放置于恒温箱内，调节恒温箱的温度为30℃，加热保持30分钟；步骤2：待加热完毕后，调整恒流源使待测LED流过的电流为5mA,等待测LED正向压降稳定时，记录相应的正向压降；步骤3：将恒温箱温度分别设置为40℃、50℃、60℃、70℃、80℃，重复步骤1、2，并记录各温度下的正向压降；步骤4：利用公式（1），采用最小二乘法对测试数据拟合，求出K系数值：VFT＝VF0+K(T?T0)????（1）式（1）中，K为电压随温度变化的系数，T为测试条件稳定时LED的结温温度，T0为指定环境的待测温度，VFT、VF0分别为环境温度T、T0时LED两端的电压；步骤5：将恒温箱控制在30℃，待测LED两端施加测试电流IM(5mA)，记下此时LED正向电压VF1，加热电流IH设置为200mA，代替IM加到LED两端，待LED器件稳态时，测量正向压降VH，并得到耗散功率Ps;Ps＝IH·VH?????（2）步骤6：将IM迅速取代IH加到LED两端，测得此时的正向电压VFF;步骤7：分别设置为250mA、300mA、350mA,重...
【技术特征摘要】
1.一种测量功率型LED热阻的方法，其特征在于，所述方法包括: 步骤1:将待测LED放置于恒温箱内，调节恒温箱的温度为30°C，加热保持30分钟；步骤2:待加热完毕后，调整恒流源使待测LED流过的电流为5mA，等待测LED正向压降稳定时，记录相应的正向压降； 步骤3:将恒温箱温度分别设置为40°C、50°C、6(TC、7(rC、8(rC，重复步骤1、2，并记录各温度下的正向压降； 步骤4:利用公式(1)，采用最小二乘法对测试数据拟合，求出K系数值:Vft = Vfo+K(T-T0) (I) 式(I)中，K为电压随温度变化的系数，T为测试条件稳定时LED的结温温度，T0为指定环境的待测温度，VFT, Vfo分别为环境温度T、T0时LE...
【专利技术属性】
技术研发人员：李文礼，周泰武，彭应光，万文华，
申请(专利权)人：桂林机床电器有限公司，
类型：发明
国别省市：
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