工件输送装置制造方法及图纸

一种工件输送装置，用于输送基板层及在所述基板层的一部分上具有被加工层的工件，该工件输送装置具有构成为对所述工件进行把持及解放那样动作的工件把持机构。工件把持机构具有在被加工层位于基板层下方的状态下对工件的基板层进行把持的、带有锥部的至少一个工件把持表面。带有锥部的工件把持表面构成为，当由工件把持机构被把持工件时，工件把持表面与工件的被加工层之间存在规定距离R或大小超过它的间隙。采用本发明专利技术，即使半导体晶片的玻璃基板上的接合位置偏离理想位置，输送机构的晶片保持机构也不会与半导体晶片接触。

【技术实现步骤摘要】
工件输送装置
本专利技术涉及一种在对半导体晶片等工件进行处理的装置中把持及输送工件用的机构。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，一般使用各种装置以输送半导体晶片等工件(例如专利文献I)。有时在玻璃基板上粘接半导体晶片，连玻璃基板一起输送半导体晶片，对半导体晶片实施研磨等处理。在这种场合，当输送半导体晶片时，最好仅把持玻璃基板进行输送，输送机构不接触实施处理的半导体部分。另外，在半导体装置的制造中，有时必须输送尺寸不同的半导体晶片。由于半导体晶片的输送机构对应于所处理的晶片大小而设计和调整，故当晶片尺寸不同时，有时无法适当被输送。例如，当半导体晶片尺寸小于输送机构所调整的尺寸时，有时把持力变弱，且把持晶片部位处的间隙过大，晶片的定位精度变差。另外，当半导体晶片尺寸大于输送机构所调整的尺寸时，有时把持力变得过大，给晶片带来过分的应力，另外有时无法适当把持晶片。另外，在专利文献I中，在CMP(化学机械研磨Chemical Mechanical Polishing)装置中，公开了一种在对基板进行研磨的研磨单元与对研磨后的基板进行洗净的洗净单元之间输送基板的线性传送装置。该线性传送装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种工件输送装置，用于输送具有基板层及位于所述基板层的一部分上的被加工层的工件，所述工件输送装置的特征在于，具有构成为对所述工件进行把持及解放那样动作的工件把持机构，所述工件把持机构具有在所述被加工层位于所述基板层的下方的状态下对所述工件的所述基板层进行把持的、倾斜的至少一个工件把持表面，所述倾斜的工件把持表面构成为，当由所述工件把持机构把持所述工件时，所述工件把持表面与所述工件的所述被加工层之间存在规定距离R或大小超过该规定距离R的间隙。

【技术特征摘要】
2012.07.27 JP 2012-166701;2013.03.06 JP 2013-04391.一种工件输送装置，用于输送具有基板层及位于所述基板层的一部分上的被加工层的工件，所述工件输送装置的特征在于， 具有构成为对所述工件进行把持及解放那样动作的工件把持机构，所述工件把持机构具有在所述被加工层位于所述基板层的下方的状态下对所述工件的所述基板层进行把持的、倾斜的至少一个工件把持表面， 所述倾斜的工件把持表面构成为，当由所述工件把持机构把持所述工件时，所述工件把持表面与所述工件的所述被加工层之间存在规定距离R或大小超过该规定距离R的间隙。2.如权利要求1所述的工件输送装置，其特征在于，所述倾斜的工件把持表面的倾斜角度 Θ b 满足:Θ 3 兰 Θ b < 90° 及 Θ 3 = Θ 1+ Θ 2， 这里，将与所述基板层和所述被加工层相接的直线设为LI，将直线LI与所述基板层所构成的角度设为Θ 1，在以直线LI与所述被加工物的接点为中心画出半径R的圆的情况下将与半径R的圆和所述基板层相接的直线设为L2，将直线LI与直线L2所构成的角度设为Θ 2，将直线L2与平行于被加工物的面的直线所形成的角度设为Θ 3。3.如权利要求1所述的工件输送装置，其特征在于，所述工件把持表面具有用于对第一尺寸的工件进行把持的第一表面、以及用于对第二尺寸的工件进行把持的第二表面。4.一种工件输送装置，用于输送具有基板层及位于所述基板层的一部分上的被加工层的工...

【专利技术属性】
技术研发人员：小菅隆一，西田弘明，曾根忠一，相泽英夫，田中智裕，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：